碳纳米管晶体管 · 后硅逻辑电路

本条为初评草案（AI 辅助编目）：T 阶为三问初评（撬动面 × 停滞度 × 临界性），双评过 σ 门并红蓝复核后才升"已建档"。查不到的字段留空不编。点亮者会进入亮星候选流程，其贡献与星阶按 HCF 独立重评，不从暗星自动继承。

碳纳米管晶体管 · 后硅逻辑电路量级 · 潜能待评

硅走到头之后,碳纤维尺度的晶体管接棒

暗星编号DS-0546

轴E · 能量与能力前沿

领域ai-computing

状态初评草案 · 待双评与红蓝复核

这是什么 · 为什么难

用单壁碳纳米管作为沟道材料制造晶体管,理论迁移率和能效优于硅基FinFET/GAA晶体管,可能在后摩尔时代延续算力密度增长。攻克意味着在硅material极限之后仍有清晰的性能提升路径。

卡在哪 · 机制级卡点

碳纳米管的手性(金属性/半导体性)分离纯度、大面积均匀排列与工业级晶圆制造的良率控制远未达到量产标准,与现有CMOS产线的兼容性投入巨大。

谁在攻

北京大学彭练矛/张志勇团队麻省理工学院 Max Shulaker 实验室斯坦福大学 Subhasish Mitra 实验室中国科学院苏州纳米所

怎么参与

学纳米材料生长与器件制造工艺,关注北大彭练矛团队及MIT Shulaker组公开论文,职业路径为碳基电子器件工艺工程师。