暗星档案 · 未点亮的星超宽禁带功率半导体 · SiC/GaN 之后的下一跳
本条为初评草案（AI 辅助编目 · 评于 2026-07）：T 阶为三问初评（撬动面 × 停滞度 × 临界性），双评过 σ 门并红蓝复核后才升"已建档"。查不到的字段留空不编。点亮者会进入亮星候选流程，其贡献与星阶按 HCF 独立重评，不从暗星自动继承。
超宽禁带功率半导体 · SiC/GaN 之后的下一跳T4 量级 · 亮星
氧化镓、金刚石、氮化铝功率器件——把电力电子的损耗与耐压再推一个量级，是全社会电气化的底层元件。
暗星编号DS-0280
轴E · 能量与能力前沿
领域energy
状态初评草案 · 待双评与红蓝复核
这是什么 · 为什么难现代能源系统的每一度电几乎都要经过功率半导体的转换：充电、变频、并网、直流输电。硅之后是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），而超宽禁带材料——氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石、氮化铝（AlN）——理论品质因数还能再高一到两个数量级，意味着更小的损耗、更高的耐压、更紧凑的变换器。攻破它，电动车、数据中心供电、特高压直流、电网级储能的转换效率天花板整体上移。这是典型的『看不见但无处不在』的文明基础件。
卡在哪 · 机制级卡点卡在材料物理两关：一是大尺寸、低缺陷单晶生长——金刚石和 AlN 至今做不出经济可用的大晶圆；二是 p 型掺杂——氧化镓几乎无法实现有效 p 型导电，做不出双极器件，器件结构选择被锁死。氧化镓的热导率还很低，散热是第三重工程难题。材料端不破，器件与产线都是空中楼阁。
谁在攻Novel Crystal Technology（日本，氧化镓晶圆）、名古屋大学与佐贺大学的氧化镓器件研究、Element Six（金刚石材料）、中电科 46 所（国内氧化镓单晶）
怎么参与本科打底半导体物理与材料科学，研究生方向选宽禁带/超宽禁带材料生长（熔体法、HVPE、MOCVD）或器件物理。进入日本氧化镓产学链、欧美金刚石电子学实验室或国内单晶所属研究团队。最好的切入子问题：氧化镓的 p 型掺杂替代方案（异质结、极化掺杂）或金刚石晶圆的低成本外延。
谁在攻这颗暗星 · 攻关者名录7 人
这不是终点站——今天在这颗暗星上攻坚的人，就是明天点亮它、登上星光榜的候选。名录含科研、创业与第三方三类关键角色，初评待核实，欢迎补充与纠正。
ACADEMIA学界 · 科研6
东脇正高Masataka Higashiwaki氧化镓器件研究者
日本情报通信研究机构（NICT）
2012 年首次演示氧化镓（Ga₂O₃）MOSFET，开创超宽禁带氧化镓功率器件领域，并与 Novel Crystal Technology 紧密合作推动晶圆与器件产业化。
藤田静雄Shizuo Fujita氧化镓材料研究者 / 科学创办人
京都大学 / Flosfia
开创刚玉结构 α-Ga₂O₃ 薄膜生长研究，并作为科学奠基人促成京都大学分拆公司 Flosfia，把 α-Ga₂O₃ 功率器件推向商业化。
天野浩Hiroshi Amano半导体教授 / 诺贝尔奖得主
名古屋大学
因蓝光 LED 获诺贝尔物理学奖，其名古屋大学团队推进 GaN 功率器件与下一代宽禁带材料研究，是超宽禁带功率半导体的重要学术基座。
罗伯特·卡普拉Robert Kaplar超宽禁带半导体研究负责人
美国桑迪亚国家实验室（Sandia）
领导桑迪亚超宽禁带（UWBG）半导体研究计划，系统推进 AlGaN、Ga₂O₃、金刚石等材料的功率器件基础研究与器件路线图。
德布迪普·耶纳Debdeep Jena半导体材料与器件教授
康奈尔大学
在 GaN、AlN 等超宽禁带材料的外延生长与高压/高频功率器件方向做前沿研究，是氮化物超宽禁带电子学的主要学者之一。
邢惠丽Huili Grace Xing半导体器件教授
康奈尔大学
与 Debdeep Jena 合作研究 AlN/GaN 超宽禁带功率与射频器件，推动超宽禁带材料在高耐压、低损耗功率转换中的器件实现。
INDUSTRY业界 · 创业与工程1
人罗俊实Toshimi Hitora氧化镓创业者 / CEO
Flosfia（日本，京都大学分拆）
领导 Flosfia 开发基于 α-Ga₂O₃ 的功率器件（GaO™），量产超宽禁带功率二极管/晶体管，瞄准电动车与电源转换的更高效率天花板。
去哪家 · 机构与公司名录6 家 · 其中初创/成长期 6
给求职者和投资人的信息增量——不只是听过的大机构，更多是正在攻这颗暗星的初创与新公司（联网实搜、初创优先排序，初评待核实）。
来源 · 可查证