罗盘 / 环栅晶体管良率爬坡
暗星档案 · 未点亮的星环栅晶体管良率爬坡
本条为初评草案（AI 辅助编目）：T 阶为三问初评（撬动面 × 停滞度 × 临界性），双评过 σ 门并红蓝复核后才升"已建档"。查不到的字段留空不编。点亮者会进入亮星候选流程，其贡献与星阶按 HCF 独立重评，不从暗星自动继承。
环栅晶体管良率爬坡T6 量级 · 行星
同样的2nm工艺，三星四成良率、台积电七成，差距就是身家性命
暗星编号DS-1102
轴E · 能量与能力前沿
领域materials-manufacturing
状态初评草案 · 待双评与红蓝复核
这是什么 · 为什么难
2025-2026年全球代工厂集体切换到环栅(GAA)晶体管架构以突破鳍式场效应管(FinFET)的物理极限，但从"能造出来"到"能规模化盈利生产"之间隔着巨大的良率鸿沟——三星2nm良率约40%意味着十片晶圆五六片报废、成本高到大多数客户望而却步，台积电则做到65%-75%实现规模化盈利。攻破意味着把纳米片堆叠、栅极全包裹刻蚀等新工艺的缺陷率降到可持续盈利线以下，真正让摩尔定律在2nm以下继续往前推进。
卡在哪 · 机制级卡点
GAA工艺需要在极微观尺度精确堆叠纳米片并把栅极材料包裹进微米级缝隙，涉及全新材料和刻蚀技术，工艺步骤数量和插入缺陷点比FinFET成倍增加；良率提升高度依赖设备端(蚀刻机、沉积设备)与制程整合的协同优化，行业普遍认为未来两年是从"能不能造出来"转向"能不能规模化造"的爬坡期，落后者短期内难以追平。
谁在攻
台积电(2nm量产良率65%-75%行业领先)；三星电子(2nm GAA良率约40%仍在爬坡)；英特尔(18A节点GAA工艺推进中)
怎么参与
半导体工艺/微电子相关科研训练；关注SemiAnalysis、行业分析机构公开的代工厂良率追踪报告