三维异构集成 · 混合键合的良率乘法难题
本条为初评草案（AI 辅助编目 · 评于 2026-07）：T 阶为三问初评（撬动面 × 停滞度 × 临界性），双评过 σ 门并红蓝复核后才升"已建档"。查不到的字段留空不编。点亮者会进入亮星候选流程，其贡献与星阶按 HCF 独立重评，不从暗星自动继承。
摩尔定律的平面微缩逼近物理与经济极限后，算力继续增长的主路径变成了往上盖楼：把逻辑、存储、模拟等不同工艺的裸片以微米级铜—铜混合键合直接堆叠，互连密度比传统封装高几个数量级。HBM 高带宽存储、3D V-Cache 都已证明方向可行，但真正的大规模多层堆叠还卡在制造环节。攻破它意味着算力增长的接力棒从光刻交到封装手里，AI 基础设施的性价比曲线得以延续，也意味着半导体价值链的权力重新分配——封测环节第一次站到前沿工艺同等地位。
三重卡点互相咬合：一是键合间距每往下缩一档，对晶圆平整度、颗粒洁净度的要求就逼近前道光刻级，而封装厂的产线基因跟不上；二是良率乘法——N 颗已知良好裸片叠在一起，任何一步键合失误报废的是整摞的价值，良率必须逼近 100% 才有经济性；三是层间散热，堆得越高，中间层的热越出不去，热设计反过来限制堆叠收益。
台积电（SoIC）、英特尔（Foveros）、三星，长电科技、日月光等封测厂，Besi、EV Group 等键合设备商
读微电子或精密机械/材料，重点补晶圆键合工艺、热管理与已知良好裸片（KGD）测试。进先进封装研发线（代工厂的 3D 集成部门或键合设备商），从'键合前表面处理与颗粒控制'或'堆叠层间热通路'任一子问题切入——两者都是当前良率与堆叠高度的直接天花板。
谁在攻这颗暗星 · 攻关者名录12 人
这不是终点站——今天在这颗暗星上攻坚的人，就是明天点亮它、登上星光榜的候选。名录含科研、创业与第三方三类关键角色，初评待核实，欢迎补充与纠正。
去哪家 · 机构与公司名录6 家 · 其中初创/成长期 2
给求职者和投资人的信息增量——不只是听过的大机构，更多是正在攻这颗暗星的初创与新公司（联网实搜、初创优先排序，初评待核实）。